30 Января 2006 14:39

Создана первая в мире полностью работоспособная микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой технологии

Как сообщили агентству "Урал-пресс-информ" в пресс-службе корпорации, Intel создала микросхему, которая стала первой в мире полностью работоспособной микросхемой статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии - новейшей технологии массового производства полупроводниковых компонентов.
Новая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.