Intel: 45 нм – новый рубеж в истории полупроводниковых технологий

Как сообщили представителям масс-медиа на презентации новейших технологий Intel, прошедшей 12 декабря, в Москве, уникальность 16 микропроцессоров в том, что они созданы по 45-нм технологическому процессу на базе транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком high-k на основе гафния. Образцы демонстрируют быстродействие, меньшее тепловыделение и экологическую безопасность. В числе характеристик высокий уровень производительности вычислений, меньшее потребление электроэнергии. Кроме того, при их производстве не используется экологически небезопасный свинец. С 2008 года не будут применяться галогеносодержащие материалы.
В перспективах развития компании – внедрение представленных технологий в процесс создания однокристальных систем для новых мобильных устройств и бытовой электроники.
Новейшие чипы выпускаются на фабрике D1D корпорации Intel, в ближайшее время их производство будет запущено на Fab11X в Рио-Ранчо (Нью-Мексико), Fab 32 в Чэндлере (Аризона) и Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль). Общие инвестиции Intel в перевооружение своих производственных мощностей превысили восемь миллиардов долларов.